DMG3406L-7 与 BSS306N H6327 区别
| 型号 | DMG3406L-7 | BSS306N H6327 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMG3406L-7 | A-BSS306N H6327 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.3mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 44mΩ |
| 上升时间 | - | 2.3ns |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 1.5nC |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 495 pF @ 15 V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 5S |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 11.2 nC @ 10 V | - |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 3.6A(Ta) | 2.3A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 2.9mm |
| 下降时间 | - | 1.4ns |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 770mW(Ta) | 500mW(1/2W) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@3.6A,10V | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 8.3ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | BSS306 |
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 4.4ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRLML6346TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSS306N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
30V 2.3A 44mΩ 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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